矽朋微SST-MRAM技术特点和应用领域

矽朋微SST-MRAM技术特点:

  • 高速:速度与DRAM相当,比Flash快1万倍

  • 高擦写次数:比NANDFlash多一千万倍

  • CMOS兼容性好:可独立、可嵌入式

  • 掉电不丢失:MRAM可以断电保存数据

  • 低功耗:只有读写数据的时候才上电

  • 抗辐射抗恶劣环境:

    TID>100Krad 

    LET>80MeV•cm2•mg-1

     

​STT-MRAM和常用存储器参数对比情况:

  STT-MRAM EEPROM FLASH SRAM FRAM
Memory Type Non-Voltile Non-Voltile Non-Voltile Voltile Non-Voltile
Write Method Overwrite Erase+Write Erase+Write Overwrite Overwrite
Write Cycle Time 25ns 10us 10us 5ns 150ns
Read/Write Cycle 1012 106 106 unlimited 1013
Booster Circuit No Yes Yes No No
Data Backup Battery No No No Yes No

 STT-MRAM和几种非易失存储器参数对比:

  STT-MRAM FRAM nvSRAM Toggle-MRAM
存储器类型 Non-Voltile Non-Voltile Non-Voltile Non-Voltile
写入方法 OverWrite OverWrite OverWrite OverWrite
写周期 25ns 150ns 25ns 35ns
读/写次数 1012 1013 106 1012
密度 High Low Low Middle
数据保存时间 >20yrs 10yrs 20yrs >20yrs

SST-MRAM应用领域:

SST-MRAM应用场景:


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